產品展示
? 籽晶的粘接工藝技術是將SiC籽晶通過有機膠粘接在石墨紙上，提高籽晶粘接質量是保證高品質SiC晶體生長的首要前提。
? 微波等離子化學氣相沉積技術(MPCVD) , 通過等離子增加前驅體的反應速率,降低反應溫度。適合制備面積大、均勻性好、純度高、結晶形態好的高質量的金剛石單晶和多晶薄膜
? 專門用于硅碳化合物(SiC) 的氧化處理，可實現SiC片在高溫真空環境下完成高溫氧化工藝。氧化工藝使用濕法氧化氣體或N2O、NO、NO2,是最安全的毒性氣體氧化爐 ? 設備適用于SiC基功率器件制造中的高溫氧化工藝環節 ? 加熱腔與工藝腔獨立密閉設計，提供工藝腔的潔凈度
? 專門用于硅碳化合物(SiC) 的離子激活和退火處理，可實現SiC片在高溫真空環境下完成活性工藝 ? 設備適用于SiC基功率器件制造中的離子激活和退火工藝環節 ? 加熱腔與工藝腔獨立密閉設計，提供工藝腔的潔凈度
? LPCVD設備是半導體集成電路制造的重要設備之一， 主要用于多晶硅、氮化硅、氧化硅薄膜的生長,它是將原材料氣體(或者液態源氣化)用熱能激活發生化學反應而在基片表面生成固體薄膜，LPCVD過程是在低壓下進行的，由于氣壓低，氣體分子平均自由程大，使生長的薄膜均勻性好，此外基片可以豎放使得設備裝片量大，特別適用于工業化生產
? LPCVD設備是半導體集成電路制造的重要設備之一， 主要用于多晶硅、氮化硅、氧化硅薄膜的生長,它是將原材料氣體(或者液態源氣化)用熱能激活發生化學反應而在基片表面生成固體薄膜，LPCVD過程是在低壓下進行的，由于氣壓低，氣體分子平均自由程大，使生長的薄膜均勻性好，此外基片可以豎放使得設備裝片量大，特別適用于工業化生產
? PECVD主要應用于氧化硅(SiO?) 和氮化硅(SiN4) 材料的薄膜生長，工作原理是在低壓引入高頻射頻電源，采取電容耦合方式使工藝氣體電離放電，形成等離子體狀態，產生大量的活性基團，這些活性基團在襯底材料表面發生化學反應并沉積到襯底表面，生長出氧化硅(SiO?) 或氮化硅(SiN4) 薄膜
? 該設備是半導體生產線前工序的重要工藝設備之一，用于大規模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件等行業的擴散、氧化、退火、合金和燒結等工藝 ? 設計了硅片生產的多種工藝性能需要，具有生長效率高、產品性能優越的特點 ? 具有污染低、占地面積小、溫度均勻、可裝載晶圓尺寸大、工藝穩定性高等優點 ? 主要用于初始氧化層、屏蔽氧化層、襯墊氧化層、犧牲氧化層、場氧化層等多種氧化介質層的制備工藝
◆ 主要用于半導體器件退火及燒結等工藝，可進行真空、氣體保護等 ◆ 設備結構新穎,操作方便 ◆ 在一臺設備上可以完成多個工藝流程
◆ 氣相外延是一種單晶薄層生長方法 ◆ 氣相外延廣義上是化學氣相沉積的一種特殊方式，其生長薄層的晶體結構是單晶襯底的延續，而且與襯底的晶向保持對應的關系 ◆ 在半導體科學技術的發展中，氣相外延發揮了重要作用 ◆ 砷化蹤(GaAs)氣相外延技術生長的砷化鯨(GaAs)純度高、電學特性好，廣泛的應用于霍爾器件、耿氏二極管、場效應晶體管等微波器件中
◆ 直拉法晶體生長專用設備，可實現在高壓、真空和保護氣氛下直拉生長晶體 ◆ 采用自動稱重結構，在保證晶體品質的前提下實現了直拉晶體的自動生長過程
◆ 快速退火爐是利用紅外熱輻射實現快速加熱的一種半導體熱處理工藝設備，通過燈光輻射型熱源功率控制模塊裝置和專用燈組對位于工藝腔體的半導體硅片進行快速加熱來實現穩定的升溫過程